有限公司(后简称“华润微电子”)宣布其附属公司华润上华科技有限公司(后简称“华润上华”)已开发完成1200V Trench NPT)工艺平台，各项参数均达到设计的基本要求，成功进入Trench IGBT代工市场。

　　华润上华开发的该工艺产品关键参数如最高耐压V(BR)CES、导通饱和电压VCE(on)、关断损耗Eoff ，以及在实际应用中的温升效果都与国际大厂相当，该工艺产品主要使用在于电磁炉。根据国内权威的市场调研机构资料，2010年中国电磁炉用IGBT的市场规模达4.6亿元人民币，预期2011年中国电磁炉用IGBT市场规模为5.3亿元人民币，较2010年成长15.2%，到2012年与2013年分别达6.1亿元人民币与7.0亿元人民币，增长率分别为15.1%与14.8%。

　　华润上华作为国内首家以晶圆代工模式立足中国半导体市场的产业先锋，自2005年DMOS工艺量产以来，成功开发量产了6英寸高压平面栅400-650V 系列DMOS、6英寸中压平面栅50-200V系列DMOS、8英寸低压沟槽栅20-40V系列DMOS、8英寸中压沟槽栅50-80V系列DMOS等丰富的功率器件工艺平台。此次1200V Trench NPT IGBT工艺平台的开发成功，使得华润微电子和华润上华在功率器件代工的工艺平台更全面，将进一步促进国内新型电力电子产业的发展，提高节能减排核心部件的国产化水平和比重。

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　　模块（B3模块）, 它能够提升新能源汽车充电速度和行驶动力，为用户所带来更高的效率和更好

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　　“RGA系列”。今后，双方将继续保持紧密合作，全力响应全球电机驱动用户的需求。 ROHM Co., Ltd. 董事 常务执行官 CFO 伊野和英 （左） 赛米控丹佛斯

　　“RGA系列”。今后，双方将继续保持紧密合作，全力响应全球电机驱动用户的需求。 ROHM Co., Ltd.董事 常务执行官 CFO 伊野和英（左）赛米控丹佛斯 CEO Claus A. Petersen（右） 随着全球电动化技术的加快速度进行发展，对功

　　。此次，赛米控丹佛斯向低功率领域推出的功率模块中，采用了罗姆的新产品——

　　“RGA系列”。今后，双方将继续保持紧密合作，全力响应全球电机驱动用户的需求。 ROHM Co., Ltd. 董事 常务执行官 CFO 伊野和英 （左）   赛米控丹佛斯

　　17mΩ 的碳化硅(SiC) MOSFET通过了车规级可靠性认证(AEC-Q101)，该产品为TO247-4封装，最大电流(Ids)可达111A。

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　　，关断时间已经缩短到40ns，工作频率可达40kHz，擎住现象得到一定的改善，安全工作区（SOA）扩大。这些优越的性能使得

　　。此次推出的4款型号，传导损耗非常低，非常有助于应用的小型化与高效化。

　　壕沟和现场停止技术；低开关损耗；正温度系数；简单的平行技术。大范围的应用在中等功率驱动器、

　　近年来，在新能源车、光伏、风电和储能等的带动下，全球功率半导体市场规模不断加速成长，国内以士兰微、

　　、时代电气、安世半导体、斯达半导、新洁能、东微半导、扬杰科技微代表的功率半导体公司成长迅速

　　等方面的布局展开，其中在车规级功率器件技术及市场方面，公司针对车规级中低压MOS、高压超结MOS、

　　以及SiC MOS单管与模块等器件芯片制造、模组封装、可靠性提升等关键技术进行分享；发

　　封测事业群运营副总经理、润安公司副总经理李超表示，首批设备的成功搬入是继

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　　工业级SiC肖特基二极管功率器件产品系列，与此同时宣布国内首条6英寸商用SiC晶圆生产线正式量产。

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　　回复了上交所科创板上市的首轮问询，对股权结构等52个问题进行了详细说明。6月26日，公司首次公

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